Изследване на изправителни полупроводникови диоди

РУСЕНСКИ УНИВЕРСИТЕТ “АНГЕЛ КЪНЧЕВ”

Катедра: “
Електроника
”

ПРОТОКОЛ №
1

Тема
:
Изследване на изправителни полупроводникови диоди

ККате
д
ра: “Електрон

ДДата на предаване:


Проверил
:





-
-----------------------


/
С.
Казанджие
в
/

Цел на у
53
1001338
5
834

7
Ж - URm =
400 V,
Io

=
300 mA,
I
R
=
I R
m
= 0,1 mA, UF = 0,5 V ;
R
m
=
40
0 V,
I
o = 300 mA,
Прав
о
в
ключване:
в
к
лю
чване:
Да
н
н
и
от и
зм
ерванията:
Прави характеристики
ПравПраво включв
а
н
е:

включване:
IFmA1,6mA1,6711,671640767
16
4164076
76
T
T
=5
0◦C
IF
4
5
24
4545
0,
5
0,
6
,70,7500,7

,7
50,
8

,0
80
,090,2IF
mA0,08mA0,0
mA0,120,0,120,130,44410,130,4
4
4
4416366
8
4
8
668
68

Д7ЖURV510UURV510V510510110
1
5
20
2152025
320253025
19
,1919,5
1
9,
5T=50◦
C
I
1
6
0
5К1
1
65КД1104
КД1104URV510152025UURV51
0
V
11015202
15
20

530
μA
T=50◦CIRμA

ИзчиIRμA
μA

ИИ
зчисления на

п
ар
амет
ри
те и графична интерпретация:
Д7Ж :КД 1-104пр
и

Т
= 2
5° С:при

Т = 25° С:
MB
E
D Equation
.DSMT4 

пр
и
Т
= 25° С:

E
MB
ED E
qu
ation.DSMT4 

.
D
SM
T4


M
BED Equation.
ED

Equation.D
SMT4 


EM
BED Equation
.
D
SM
T4
 EMBED Equation.DSMT4  EMBED Equation.DSMT4



E
quation.DSMT4
D
E
quation.DS
MT4 
п
ри

Т
= 50° С:при

Т
=
50°
С
: EMBED Equation.DSMT4 EMBED Equation.DSMT4

и Т = 50°

С:при Т = 50
D
E
quation.DS
MT4 

E
M
BE
D Equation.D
S
M
T4




EMBED Equ
a
tion.DSMT4 
D
E
quation.DS
MT4 

Из
в
од
и:
След пров
е
ж
да
нето
н
а опита се установи:

И
зводи:
Сл
е
д провежданет
д
и
ма по-голя
м пад на на
пр
е
же
нието отколк
о
т
о
герм
ан
иевия диод. При увеличаване на температурата пада

н
а
нап
режението

намалява.

П